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第1届VASPKIT+VASP软件培训班报名通知

作者:本站编辑      2024-02-21 12:27:08     47

得益于计算机技术和材料计算方法的迅猛发展,第一性原理计算在新材料结构与物性预测、化学反应的微观机制研究以及材料基础物性探索中变得日益重要。作为目前最受欢迎的商业软件之一,VASP在材料计算模拟领域获得了广泛的国际认可。VASPKIT作为VASP的前后处理软件,在该领域获得了广泛的认可,已被来自100多个国家的研究者广泛使用,包括哈佛大学、普林斯顿大学、麻省理工学院、加州大学伯克利分校、剑桥大学、东京大学及国内众多高校的师生。该软件的下载量超过2000次/月,他引超过100次/月,已被Nature、Science、Nature Physics、Nature Materials、Nature Chemistry、Nature Photonics、Nature Catalysis、Nature Communications、Science Advances、PRL和JACS等期刊引用2300余次(谷歌学术)。VASPKIT论文入选2021年度中国百篇最具影响力的国际学术论文之一,并在2018-2022年物理学领域研究论文中,获得引用数最多的中国学者论文中排名第四。

VASPKIT开发团队将基于腾讯量子实验室的材料计算模拟平台TEFS举办第1届VASPKIT+VASP软件培训班,诚挚邀请您参加。本次培训将系统介绍VASPKIT工具各个模块及VASP软件的使用,包括电荷密度和化学键相关计算与分析、介电与光学性质计算、力学性质计算以及能带结构的计算与分析。无论您是初学者还是有一定经验的研究者,我们都将提供有价值的知识和实践经验,帮助您在计算材料科学和量子计算领域取得更大的进展。

TEFS平台介绍链接

TEFS 平台重磅更新,机器学习模块上线!

VASPKIT Pro入驻腾讯TEFS,共同推进计算材料发展

对于参加培训的学员,将获得以下权益

  1. VASPKIT开发团队将免费提供VASPKIT纪念品和VASPKIT Pro商业版一年的使用权。
  2. TEFS团队将为此次培训提供全程TEFS平台使用指导与培训的CPU算力支持。
  3. 免费体验NVIDIA V100加速的VASP版本。

诚挚邀请您一同参与,共同探索这个知识领域的深度和广度。

1. 课程安排:(注:培训采用TEFS平台,学员需要自备电脑)

(1) TEFS && VASPKIT Pro软件上机实践(第一天)

1、TEFS材料计算平台介绍

2、TEFS使用培训

3、VASPKIT Pro安装及初始化配置

4、VASPKIT Pro各模块功能简介与实操演示

5、VASPKIT Pro自动绘图功能实用案例

6、VASPKIT Pro结构建模操作示例

二硫化钼(H-MoS2)纳米管
二硫化钼-磷烯异质结

(2.1) 电荷密度和化学键相关计算和分析(第二天)

1、部分电荷密度(partial charge density)计算以及后处理

2、差分电荷密度(charge density difference)计算以及后处理

3、Bader电荷计算以及分析

4、ELF计算以及2D ELF和1D profile曲线深入分析

5、Bond order介绍

6、COHP和COBI计算以及深入分析

包含缝隙缺陷的二硫化钼(H-MoS2)纳米带的电荷差分和自旋差分密度图
(a,b)二硒化铬(H-CrSe2)单层价带顶,导带底部分电荷密度等值图及(c)差分电荷密度和(c)ELF等值图
CsPbI3价态顶和导带底的能带分解电荷密度( Band decomposed charge density),SbN三维电子局域函数ELF和对应的一维ELF分布

(2.2) 介电与光学性质计算

1、静态介电常数(包括离子和电子贡献部分)与波恩有效电荷计算

2、激子结合能经验公式计算

3、光学吸收、反射谱、折射谱等处理

4、光学吸收曲线的剪刀算符和PHS修正

5、转变跃迁矩阵元和JDOS处理

6、理论光电转换效率计算

7、光学吸收深入分析实例介绍

晶体硅的吸收系数,折射率,反射系数和消光系数随入射光频率的变化谱
石墨烯单层(a,b)和黑磷烯单层(c,d)的光导率和吸收谱

(2.3) 力学性质计算:

1、力学常数Cij等以及各种模量的计算(三种方法)

2、角度依赖的力学性质后处理

3、应力应变曲线的计算介绍

4、力学性质实例分析介绍

三维材料力学性质各向异性示意图
二维扭曲相二硫化钼(T’-MoS2)单层的杨氏模量和泊松比的各向异角分布图

(3.1) 能带结构定义和分类(第三天)

1、基本能带图及材料分类

2、自旋极化能带图

3、元素和轨道投影能带图

4、2D材料的3D能带图

5、反折叠能带

二硫化钼(MoS2)单层的自旋投影能带
(a,b) 氯化铋(BiClO)元素投影能带和态密度图;(c,d) 石墨烯单层的轨道投影能带和态密度图
(a,b)二碲化钼(MoTe2)单层和(c,d)碘氧铋(BiIO)单层的3D和2D投影能带
完整4X4二硫化钼单层超胞和包含硫空位超胞的反折叠能带对比图

(3.2) 能带结构分析

1、半导体能带分析

2、金属能带分析

3、半金属能带分析

4、半导体异质结能带分析

(a)二硒化铬(H-CrSe2)单层价带,导带的3D能带投影图; (b)二维投影图能带和元素投影态密度图及(c) 其COHP图。
二硒化铬(H-CrSe2)单层Se元素(a) 及Cr元素(b)的轨道投影能带图
二硒化铬(H-CrSe2)单层轨道成键分析
氮化硼(BN)单层(a,b)和体相硅(Si)晶体(c,d)的空穴,电子有效质量的各向异性图
金属铜(Cu)和钒(V)的轨道投影费米面
具有蜂巢-笼目晶格结构的非磁性Be2N3单层和铁磁性Cd2N3单层的半金属能带图,前者是典型的狄拉克半金属,后者是极化的狄拉克半金属(polarized Dirac semimetal),或称为(half Dirac semimetal).
扭曲相二硫化钼(T’-MoS2)单层的Mo(a)和S(b)元素的轨道投影能带图

2. 培训讲师:

VASPKIT开发团队成员,具有丰富的科研和线上培训经验,此次参与培训的讲师有:

王老师,VASPKIT软件开发团队负责人及主要开发者。王老师以第一作者或者通讯作者在J. Phys. Chem. Lett.、Phys. Rev. B、Comput. Phys. Commun.、Adv. Funct. Mater.等期刊发表论文,3篇论文他引超过百次,1篇入选中国百篇最具影响力的国际学术论文(2021年度),主导开发了具有自主可控的第一性原理高通量材料物性分析程序VASPKIT,其代码8万余行,在材料计算模拟领域获得了广泛的国际认可。此外,王老师还主导开发了高通量材料建模软件ATOMKIT。该软件集成晶体结构建模,编辑,结构转换等功能,代码超过3万行,具备跨平台运行、界面简单友好、开箱即用等特色。

唐老师,主要从事光电、铁电、压电等性质模拟计算研究。以第一作者或者通讯作者在Sci. Adv.、J. Am. Chem. Soc.、ACS. Energy Lett.、Nano Lett.、Phys. Rev. B等期刊发表论文二十余篇,谷歌学术引用4000余次。具有多场线下培训的经验。

刘老师,主要从事二维材料的计算模拟及其物性解析建模研究,擅长能带建模分析和基于群论的对称性分析。以第一作者或者通讯作者在J. Phys. Chem. Lett.、Phys. Rev. B、Phys. Chem. Chem. Phys、J. Phys. Condens. Matter.等期刊发表论文十余篇。具有多场线下培训的经验。

3. 培训时间和地点:

时间:2024年3月29日-3月31日 9:00-17:30

地点:采用线上腾讯会议,请在开课前添加客服微信获取。

4. 培训价格:

类别价格
早鸟价(3月10日前)2400元/人
正常价2600元/人
团报价(3人及以上)2300元/人

注:报名截止时间为3月28日。

5. 客服联系(报名成功的同学务必添加客服微信):

注:扫码不成功的可以通过13621344001添加客服。

6. 缴费方式(可以开发票):

请将报名费通过银行汇款至培训举办单位“西安爱凯淇科技有限公司”账户:

开户名称:西安爱凯淇科技有限公司

开户银行:中国工商银行股份有限公司西安东大街支行

账号:3700020209200180423

统一社会信用代码:91610103MA7C1GU51T

请务必在汇款后留言:VASPKIT培训班+姓名,以便及时确认您的汇款,汇款成功后请扫描或者截图汇款回执通过E-mail发送至邮箱(vaspkit@gmail.com)。

VASPKIT和ATOMKIT相关链接:

https://vaspkit.com

https://vaspkit.com/atomkit.html

https://sourceforge.net/projects/vaspkit/files/Binaries

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