我们使用的智能手机都有一个可用空间（比如苹果的8G、16G等）和一个RAM容量。很多人不是很清楚为什么需要两个这样的芯片来做存储。这就是我们下面要讲的。我们把这两个存储设备称为“FLASH”。FLASH是一种存储芯片，全称是Flash EEPROM Memory，可以通过程序修改数据，也就是通常所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash两种，U盘、MP3中就用到了这种类型的存储器。
“闪存”经常和“NOR存储器”互换使用，业内很多人也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优势，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这种情况下NOR闪存更合适。NAND是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样的，用户可以直接运行装载在NOR FLASH中的代码类似flash的软件，这样可以减少SRAM的容量，节省成本。NAND Flash不采用存储器的随机读取技术，它的读取是以每次读取一个块的形式进行的，通常每次读取512字节。采用这种技术的Flash相对便宜。用户不能直接在NAND Flash上运行代码，所以很多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah外，还使用一块小的NOR Flash来运行启动代码。
NOR闪存是Intel于1988年开发的一种NOR闪存技术。NOR的特点是片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序就可以直接在闪存中运行，而不必将代码读入系统RAM中。NOR的传输效率高，在1至4MB的小容量下非常具有性价比类似flash的软件，但其写入和擦除速度较慢，大大影响了其性能。
Nand-flash存储器是闪存的一种，1989年，东芝公司发布了NAND闪存结构，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了一种廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量大、改写速度快等优点，适合存储大量数据，因此在业界得到了越来越广泛的应用，例如包括数码相机、MP3播放器存储卡、小型USB闪存盘等嵌入式产品。
NAND闪存和NOR闪存的原理
1.数据存储原则
这两种闪存器件都是采用三端器件作为存储单元，即源极、漏极、栅极。工作原理和场效应管一样，主要是利用电场的作用来控制源极和漏极之间的导通和截止，栅极的电流消耗很小。不同之处在于场效应管是单栅极结构，而FLASH是双栅极结构，在栅极和硅衬底之间增加了一个浮栅。[attach]158[/attach]
浮栅由两层二氧化硅材料夹着氮化物构成，中间的氮化物是电荷势阱，可以储存电荷，上下氧化层厚度大于50埃，以避免击穿。
2.浮栅再放电
数据写入数据单元的过程，就是向电荷势阱中注入电荷的过程。写入数据的技术有两种，热电子注入和FN隧穿效应。前者通过源极对浮栅进行充电，后者通过硅基对浮栅进行充电。NOR FLASH是通过热电子注入对浮栅进行充电，而NAND则是通过FN隧穿效应对浮栅进行充电。
在写入新数据之前，必须先擦除原有数据，这一点和硬盘不同。即必须释放浮栅上的电荷。两种类型的FLASH都是通过FN隧道效应放电。
3. 0 和 1
从这一点上来说，两种类型的FLASH是相同的，向浮栅中注入电荷表示写‘0’，不注入电荷表示写‘1’，所以清除FLASH中的数据就是写1，和硬盘正好相反；
对于浮栅上带电荷的单元，由于浮栅的感应，在源极和漏极之间会形成一个正的空间电荷区，此时无论控制电极上是否加有偏压，晶体管都会处于导通状态。对于浮栅中不带电荷的晶体管，只有当控制电极上加适当的偏压，在硅基层上感应出电荷时，源极和漏极才能导通，也就是说，当控制电极上不加偏压时，晶体管是截止的。如果将晶体管的源极接地，漏极接位线，则在不加偏压的情况下，通过检测晶体管的导通状态，就可以得到存储单元中的数据。 如果位线上的电平为低，就代表晶体管处于导通状态，读取的数据为0。如果位线上的电平为高，就代表晶体管处于截止状态，读取的数据为1。由于数据读取过程中控制栅极所加的电压很小或者根本没有加电压，不足以改变浮栅中原有的电荷，因此读取操作不会改变FLASH中原来的数据。
4. 连接和寻址方法
两种FLASH的存储单元相同，工作原理也相同，为了缩短访问时间，并不是对每个单元单独进行访问，而是对一定数量的访问单元进行集体操作。NAND FLASH的存储单元是串联的，而NOR FLASH的存储单元是并联的。为了有效地管理所有的存储单元，必须对存储单元进行统一寻址。
NAND所有的存储单元都被分成若干个Block，每个Block又分成若干个Page，每页512个字节，也就是512个8位数，也就是每页有512条位线，每位线上有8个存储单元；那么每页存储的数据就和硬盘一个扇区存储的数据一模一样了，是在设计的时候特意安排的，方便和磁盘进行数据交换，所以Block类似于硬盘的Cluster；容量不同，Block的数量也不同，组成Block的Page数量也不同。在读取数据的时候，当字线和位线锁定某个晶体管时，这个晶体管的控制极不偏置，另外7个都偏置导通。如果这个晶体管的浮栅中有电荷，就会导通，使位线为低，读出的数字就是0，否则就是1。
NOR的每个存储单元都并联在位线上，方便对每个位进行随机访问；具有专用的地址线，可以实现一次性直接寻址；缩短了FLASH对于处理器指令的执行时间。
NAND闪存与NOR闪存的区别
1. NAND闪存与NOR闪存性能对比
闪存是一种非易失性存储器，可以以称为块的存储单元块为单位进行擦除和重新编程。对任何闪存设备的写入操作都只能在空的或已擦除的单元中执行，因此在大多数情况下，必须在写入操作之前执行擦除。NAND 设备执行擦除操作非常简单，而 NOR 则要求在执行擦除操作之前将目标块中的所有位都写入 0。由于擦除 NOR 设备是在 64 到 128KB 的块中执行的，因此执行写入/擦除操作需要 5 秒钟。相比之下，擦除 NAND 设备是在 8 到 32KB 的块中执行的，相同的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块大小的差异进一步扩大了 NOR 和 NAND 之间的性能差距。统计数据显示，对于给定的一组写入操作（尤其是在更新小文件时），必须在基于 NOR 的单元中执行更多的擦除操作。因此，在选择存储解决方案时，设计人员必须权衡以下因素。
1、NOR的读取速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度比NOR的5s快很多。
4. 大多数写入操作都需要先进行擦除操作。
5.NAND的擦除单元较小，相应的擦除电路较少。
2. NAND flash与NOR flash接口区别
NOR闪存具有SRAM接口，并具有足够的地址引脚来对其进行寻址，因此可以轻松访问其中的每个字节。
NAND 设备使用复杂的 I/O 端口以串行方式访问数据，并且不同产品或不同制造商的方法可能有所不同。八个引脚用于传输控制、地址和数据信息。NAND 读写操作使用 512 字节块，这有点像硬盘管理此类操作的方式。自然，基于 NAND 的内存可以取代硬盘或其他块设备。
3. NAND flash与NOR flash的容量及成本
NAND闪存的单元尺寸几乎只有NOR器件的一半，由于生产工艺更为简单，NAND结构可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量，从而相应地降低价格。
NOR闪存占据了1~16MB容量的大部分闪存市场，而NAND闪存只用于8~128MB容量的产品。这也说明NOR主要用在代码存储介质上，而NAND适合用于数据存储。NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场占有最大的份额。
4. NAND闪存和NOR闪存的可靠性和耐用性
使用闪存介质时需要考虑的关键问题之一是可靠性。对于需要延长 MTBF 的系统来说，闪存是一种非常合适的存储解决方案。NOR 和 NAND 的可靠性可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理等方面进行比较。
5. NAND闪存和NOR闪存的寿命（耐用性）
NAND 闪存每个块的最大擦写次数为一百万次，而 NOR 只能擦写十万次。除了 10:1 的块擦除周期优势外，典型的 NAND 块大小比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 存储器块在给定的时间段内可擦除的次数更少。
6. 位交换
所有闪存设备都受到一种称为位交换的现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND 比 NOR 更常见），位可能会翻转或被报告为翻转。单个位的变化可能不引人注意，但如果它发生在一个关键文件上，这个小故障可能会导致系统关闭。如果它只是被报告为问题，再读几次就可以修复它。当然，如果位确实发生了变化，则必须使用错误检测/错误校正 (EDC/ECC) 算法。位翻转在 NAND 闪存中更常见，NAND 供应商建议使用 NAND 闪存
7.EDC/ECC 算法
在使用NAND存储多媒体信息时，这个问题并不致命。当然，如果使用本地存储设备存储操作系统、配置文件或其他敏感信息，则必须使用EDC/ECC系统来确保可靠性。
8. 坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的，过去也曾尝试消除坏块，但是良率太低、成本太高，不经济。
NAND 设备需要对介质进行初始扫描，以查找坏块并将其标记为不可用。在制造的设备中，如果此过程无法可靠地执行，则会导致高故障率。
9.易于使用
使用基于 NOR 的闪存非常简单；您可以像任何其他内存一样连接它并直接在其上运行代码。
NAND 要复杂得多，因为它需要 I/O 接口。各种 NAND 设备的访问方式因制造商而异。使用 NAND 设备时，必须先编写驱动程序，然后才能继续执行其他操作。向 NAND 设备写入信息需要相当的技巧，因为设计人员绝不能向坏块写入信息，这意味着必须从头到尾对 NAND 设备进行虚拟映射。
10.软件支持
在讨论软件支持时，应该区分基本的读/写/擦除操作和用于磁盘仿真和闪存管理算法的高级软件，包括性能优化。
在NOR设备上运行代码不需要任何软件支持。在NAND设备上执行同样的操作时，通常需要一个驱动程序，即内存技术驱动程序（MTD）。NAND和NOR设备都需要MTD进行写入和擦除操作。
使用 NOR 设备时所需的 MTD 相对较少，许多供应商为 NOR 设备提供更先进的软件，包括 M-System 的 TrueFFS 驱动程序，Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian 和 Intel 均使用该驱动程序。该驱动程序还用于模拟 DiskonChip 产品和管理 NAND 闪存，包括错误更正、坏块处理和磨损均衡。
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