第一部分 第二系列 模拟材料（纸质版）
为了进一步满足读者的需求，填补仿真方面的空白，《Sentaurus TCAD操作与仿真入门指南系列2》正式推出。系列2是全新的，与系列1没有任何交集！它不是系列1的更新或修订版。两本资料的内容完全不同。请放心购买。与该资料纸质版相对应的电子PDF不出售！
第 1 部分
系列二 纸质材料介绍
系列 2 数据介绍（与系列 1 无重叠）
系列 2 有近 12 万字、230 页（222 页文字），全部是专门针对仿真的全新内容，主要包括对软件操作的进一步补充和对仿真方法的进一步探索。因此本书着重整理了系列 1 中未提及的仿真方法，重点帮助大家更熟悉软件操作，对物理模型相关命令等有更透彻的理解。书名改为《Sentaurus TCAD 操作与仿真入门指南》，以更好地匹配系列 2 的内容，同时也与系列 1 区分开来。
本文档第一章对软件操作进行了补充，包括Swb和Svisual的操作扩展，常见错误类型及修改方法，虚拟机相关设置等。第二章对Sde部分进行了比较详细的介绍，包括掺杂的解释，电极定义方法以及网格定义方案等，让大家对Sde有了更进一步的认识。第三章对Sdevice命令进行了扩展和介绍，比如物理模型、算法部分相比第一册有了一定程度的增加。看完这一章，相信大家对器件电特性仿真命令会有更深入的理解，仿真的目的也会更加明确，对解决校准、收敛问题有一定的方向和指导，让大家不再在不知道命令含义的情况下进行仿真。第四章对Sprocess的常用命令及操作进行了入门式的介绍，看完这一章，大家对离子注入、自适应网格等内容能有更深入的理解。 同时，应读者需求，本章还增加了LDMOS、SGT的Sprocess命令以及带终端的VDMOS的Tsuprem4仿真。第五章重点介绍了宽带隙材料碳化硅的仿真，分别介绍了SiCPiN和IGBT器件的仿真方法、过程及结果。本章还介绍了SiCDTMOS和超结UMOS器件的Sprocess命令、Sdevice仿真及结果。第六章介绍了氮化镓和氧化镓器件的仿真，分别介绍了GaNPiN和HEMT、Ga2O3PiN和MOSFET器件的仿真方法、过程及结果。第五、六章对学习宽带隙器件的同学有一定的指导和参考意义。 为了进一步满足其他方向读者的需求，本书在最后增加了第7、8章，增加了CMOS反相器、局域载流子寿命变化、JBS和MPS二极管、衬底电流及退化模拟、FinFET、FD SOI、单粒子总剂量、光电二极管等内容。书中用到的命令几乎逐行讲解，帮助读者入门并快速上手模拟。
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目录
数据详情展示
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（7）增值税发票
由于增值税发票紧缺，手续复杂，最低起订量为4份，价格为80元/份。开具发票需要提供发票名称、纳税人识别号、银行开户信息、个人电子邮箱，用于接收增值税电子发票及制作明细。发票内容可以开具到账本，也可以打印复印。
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买家评论
第 2 部分系列 2 模拟数据支持视频
为了帮助读者，特别是习惯看视频的读者更高效的掌握入门指南系列二的内容，更快的学习仿真软件，我们特意录制了一门性价比高的视频课程，包含了系列二用到的所有仿真命令和工程文件，以及一些扩展文件。有需要的同学欢迎阅读本文进行进一步了解，也可以去B站搜索“心兰相随tcad”试听一些视频课程。
第 2 部分
纸质材料系列 2 的视频
视频课程介绍
课程特色：
1. 系列 2 的内容经过充分和仔细的演示和解释，并且随课程提供所有模拟命令和项目。
2、我们拒绝照本宣科，拒绝PPT式的课程式阅读，我们用图文并茂的方式讲解资料中的重点内容，详细讲解半导体理论，绝不让任何读者白花钱，始终觉得物超所值。
3. 将资料中涉及到的命令txt文件和仿真项目示例全部分享出来，帮助大家快速入门。有时候手打命令不知道错在哪里，耽误进度，降低入门效率，还不如直接复制命令。
4.初学者看资料比较困难，想通过附带的视频教程快速入门。
对于人们来说：
1.没有接触过或者接触时间不长，时间安排比较紧的学生。
2. 尝试后觉得不错，觉得看视频入门效率更高的同学。
课程内容：
视频第一章引导大家学习如何一次性添加多个变量、如何利用Svisual以图片的形式导出器件结构图、如何修改模拟误差、如何绘制能带等，大大方便了大家使用该软件。
视频第二章带大家详细了解掺杂和网格命令。几乎介绍了所有你见过的掺杂和网格命令，不放过任何一个你不懂的命令。这样你在看其他命令时就不会觉得陌生了。
视频第 3 章对物理模型做了详细介绍，并包含了很多快捷操作。我相信听了我的讲解后，您在看其他命令时不会感到困惑，并且会清楚地知道应该为您的模拟特性选择什么物理模型。您还将掌握收敛技巧，这对模拟校准将有很大帮助。
视频第四章对工艺仿真工具进行了详尽的讲解，无论是屏蔽沟槽栅器件微信虚拟视频软件教程，还是带终端的分立器件，命令都给出的很完整，只需跟着视频就可以上手，快速上手。本章对SGT和终端VDMOS的工艺和电气仿真提供了完整的命令，对广大功率器件学习者会有很大的参考价值。
视频第五章对碳化硅器件讲解很详细，是完整的工艺仿真加电特性仿真，每行命令都逐句解释，讲解风格符合大众口味，沟槽结构和超结碳化硅器件都有完整案例可供参考，仿真项目完整运行，供大家借鉴，很有参考价值，给做碳化硅器件的同学带来很多干货。
视频第六章详细讲解了GaN PiN和HEMT，从结构搭建到电气特性仿真，逐句带领大家学习宽带隙器件仿真。仿真工程完全跑完即复制，可以更高效地上手，不用再浪费时间在找命令错误上。这一章还讲解了氧化镓器件，教大家如何复现氧化镓论文中的器件结构和仿真结果，这样就不会因为没有人指导而苦恼了。
在视频的第七章中，逆变器仿真命令和局部载流子寿命仿真命令都给出了完整的说明。欧姆接触和肖特基接触二极管和器件可靠性退化仿真命令也都进行了讲解和完整的给出，进一步帮助大家学习本章的内容。如果你想做可靠性、快恢复二极管仿真等，本章对读者的帮助会很大。
视频第8章对铁电体、小尺寸器件、单粒子总剂量辐照、光电器件模拟进行了详细的讲解，完整提供了模拟命令来完成操作，让大家直观的了解到如何模拟单粒子入射，模拟中总剂量如何引起器件的电气性能退化，光照条件对器件电气特性的影响，铁电器件需要考虑的极化模型，小尺寸器件模拟需要考虑的物理模型等等。
我相信大家学完这个课程后都会收获颇丰，非常充实！
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视频课程目录
以下是系列2课程目录，包含系列2指南中知识点的页码，请按照课程目录进行阅读观看：
第 1 章 Sentaurus TCAD 操作
第 1 课 1.1 Swb 操作
（1）一次添加多个变量及变量值→P1
（2）不同项目间复制参数及工具→P2
（3）提取的参数被复制并重新排列实验→P3
（4）节点取消修剪 → P4
（5）工具栏图标介绍 → P4
（6）在当前项目目录中创建datexcodes.txt文件→P4
（7）Jedit列显示及多个Jedit并列显示→P5
（8）将虚拟机里的命令复制到桌面→P6
（9）Out文件太大微信虚拟视频软件教程，无法显示→P6
第2课 1.2 可视化操作
（10）视觉橱窗展示 → P6
（11）可视化设备结构图 联动操作→P6
（12）Tecplot SV及Svisual器件结构图3D电场分布→P7
（13）绘制电流线并修改箭头大小 → P8
（14）在 Svisual 中绘制能带 → P9
（15）Svisual tdr改变坐标轴方向→P10
（16）Svisual tdr图例属性修改→P10
（17）Svisual 中的精确切割操作 → P11
（18）Svisual 添加文字 → P11
（19）可视化导出图像 → P12
第3课1.3节错误报告与修改 & 1.4节虚拟机设置
（20）按行查找语法错误 → P12
（21）不收敛错误 → P13
（22）错误消息 无错误消息 → P14
（23）接口未定义错误 → P14
（24）运行不带 msh.tdr 的 Sde → P15
（25）求解器初始值错误 → P15
（26）未定义模型错误 → P15
（27）Svisual底部无法显示坐标轴数值→P16
（28）Jedit字体不变色 → P17
（29）暂停与继续运行 可控制仿真的暂停与停止 → P17
（30）清除模拟增加硬盘空间→P17
（31）检查CPU使用率→P18
（32）运行虚拟机导致系统蓝屏问题→P18
第 2 章
第四课 2.1 Sde 命令和操作
（33）高斯掺杂，均匀掺杂命令→P19
（34）未指定掺杂元素的 P 型和 N 型掺杂命令 → P20
（35）不使用掺杂窗口坐标的掺杂命令 → P20
（36）立体图形的圆角化 → P21
（37）BAB 和 ABA 图案创作图 → P21
（38）区域合并 → P22
（39）定义金属接触，然后删除金属接触电极的定义→P23
（40）用Vertex法定义接触电极→P23
（41）使用金属区域名称代替坐标来定义接触电极 → P23
（42）从 μm 至 nm 的换算 → P24
第五课 2.2 SDE 网格
（43）网格的含义 →P24
（44）通过窗口定义网格 → P25
（45）按区域名称定义网格 → P25
（46）按材料名称定义网格 → P25
（47）材料边界定义网格→P26
（48）偏移网格 → P27
（49）电网质量判断→P28
（50）网格与收敛→P28
（51）网格数与收敛的关系→P29
（52）在BV模拟的高压端增加电阻提高收敛性的原理→P29
第六课 2.3 Sde构建三维结构
（53）Sde搭建三维横向功率二极管完整命令及详细讲解→P30
（54）Sde搭建三维RC-IGBT完整命令及详解→P33
（55）SDE构建FinFET完整命令及详解→P37
（56）Sde搭建三维六边形二极管完整命令及详解→P40
第 7 课 2.4 Sde 连接不同的工具
（57）Sde进一步优化了Tsuprem4→P41生成的二极管结构
（58）Sde 将 Sprocess 产生的 NMOS 改为 IGBT → P42
（59）Sde连接Sdevice，实现2D转3D→P45
（60）Sde连接Sde→P46
第 3 章 Sdevice
第 8 课 3.1 Sdevice 模块 1
（61）文件部分 → P47
（62）电极部分 → P48
（63）物理面积系数、环境温度、载体统计分布→P49
（64）物理学能带模型的一部分→P49
（65）物理部分迁移率模型PhuMob、DopingDep 和 CarrierCarrierScattering → P50
（66）物理学部分迁移率模型界面处的迁移率退化→P50
（67）物理学部分迁移率模型高场速度饱和→P51
（68）物理部分迁移率模型薄层→P52
（69）物理部分复合模型→P52
（70）物理学部分复合模型雪崩模型→P52
（71）物理部分热模型及仿真案例→P53
（72）物理部分密度梯度输运模型 → P55
（73）物理部分缺陷模型 → P55
第 9 课 3.1 Sdevice 模块 2
（74）剧情部分 → P56
（75）数学解算器简介 → P56
（76）一些数学命令介绍 → P57
（77）数学部分 CNormPrint 和 NewtonPlot → P57
（78）求解部分 求解过程 → P58
（79）求解LineSearchDamping部分→P59
（80）解决一些不同形式的绘图保存命令 → P59
（81）解决部分瞬态扫描和栅极电流模拟→P60
（82）解决部分多栅极电极模拟→P61
（83）系统中混合模型基本命令介绍 → P61
（84）查看系统中部分电路节点的电气特性→P61
（85）系统部分脉冲设置 → P62
（86）系统部分循环语句定义多脉冲波形→P62
（87）参数部分 → P63
第 10 课 3.2 Sdevice 操作
（88）网格和曲线平滑度 → P64
（89）CurrentPlot 命令和曲线平滑度 → P65
（90）使用CurrentPlot命令查看自定义坐标点电气特性的变化→P66
（91）三维器件的面积系数 → P67
（92）单个设备调用不同参数 → P68
（93）混合模型电路调用不同的参数 → P68
（94）固定电荷对沟道迁移率的影响→P70
（95）查看固定费用的分布→P70
（96）热模型与场板模拟→P71
（97）判断击穿的雪崩电流 → P72
（98）判定击穿的临界击穿电场 → P73
（99）碰撞电离速率积分的确定→P73
第11课3.3节条件判断命令和3.4节隧道与电网的关系
（100）保存并加载文件前缀→P74
（101）IV 和 BV 在同一个 Sdevice 中模拟 → P75
（102）IdVg 和 IdVd 在同一个 Sdevice 中模拟 → P77
（103）在同一 Sdevice 中进行准静态和瞬态 BV 模拟 → P78
（104）隧道与电网的关系→P80
第 4 章 流程
第 12 课 4.1 Sprocess 命令
（105）离子注入参数说明 → P83
（106）Sprocess 中的单元标识 → P83
（107）反思 → P83
（108）伸展 → P83
（109）剪切 → P84
（110）平移和翻转 → P84
（111）CMP 命令 → P85
（112）沟槽蚀刻 → P85
（113）Sprocess 中循环语句的使用 → P85
（114）电极合并 → P86
（115）Sprocess保存结构命令 → P86
（116）处理其他命令 → P87
第 13 课 4.2 LDMOSS流程
（117）Sprocess 进程 → P88
（118）Sprocess Mesh 部分 → P93
（119）IdVg 特性 → P94
（120）IdVd 和 BV 特性 → P96
第 14 课 4.3 节 SGTSprocess 和 4.4 节 3D NMOSSprocess
（121）SGT Sprocess完成命令及Sdevice模拟结果→P97
（122）3D NMOS工艺→P101
第 15 课 4.5 VDMOSTsuprem4
（123）VDMOS端Tsuprem4指令→P106
（124）Sde 连接至 Tsuprem4，进行电网设置 → P112
（125）VDMOS终端结构静态电特性模拟→P112
第 5 章 碳化硅
第 16 课 5.1 节 SiC PiN 和 5.2 节 SiC IGBT
(126) Si PiN Sde 指令 → P115
（127）SiC PiN Sde 命令 → P116
（128）SiC PiN 参数文件配置 → P118
（129）SiC PiN IV 模拟 → P119
（130）SiC PiN BV 模拟 → P121
（131）SiC IGBT 传输特性 → P123
（132）SiC IGBT输出特性模拟→P126
（133）SiC IGBT击穿特性模拟→P127
第 17 课 5.3 SiC DT MOSFET
（134）SiC IGBT DT MOSFET工艺→P128
（135）沟槽栅 SiC MOSFET Qg-Vg 模拟 → P132
（136）沟槽栅 SiC MOSFET IdVg 和 IdVd 模拟 → P135
第 18 课 5.4 SiCU 超结 MOSFET
（137）沟槽栅 SiC 超结 MOSFET 工艺→P136
（138）沟槽栅 SiC 超结 MOSFET CV 模拟 → P145
（139）沟槽栅极 SiC 超结 MOSFET IdVg 和 IdVd 模拟 → P147
（140）沟槽栅 SiC 超结 MOSFET 的 BV 模拟 → P147
第六章 GaN与Ga2O3
第 19 课 第 6.1 节 GaN PiN 和第 6.2 节 GaN HEMT
（141）GaN PiN Sde→P149
（142）GaN PiN参数配置 → P152
（143）GaN PiN IV 模拟 → P153
（144）GaN PiN BV模拟→P156
（145）GaN HEMT Sde→P159
(146) GaN HEMT IdVg 模拟→P163
（147）GaN HEMT IdVd模拟→P168
(148) GaN HEMT BV 模拟→P169
第20课 6.3 Ga2O3MOSFET&Ga2O3PiN及FinChannel二极管
（149）Ga2O3 MOSFET结构→P171
（150）Ga2O3MOSFET原理→P171
(151) Ga2O3MOSFET 数据代码→P172
（152）Ga2O3MOSFET Sde命令→P173
（153）Ga2O3参数文件 → P175
（154）Ga2O3MOSFET IdVg模拟→P177
（155）Ga2O3MOSFET BV模拟→P180
（156）Ga2O3PiN IV BV＆Ga2O3FinChannel二极管模拟→P182
第七章
第 21 课 第 7.1 节 CMOS 反相器 & 第 7.2 节 本地载流子寿命
（157）CMOS反相器模拟 → P185
（158）改变器件局部区域的载流子寿命→P188
（159）重金属复合中心 → P189
第 22 课第 7.3 节 JBS 和 MPS & 第 7.4 节退化模拟
（160）PiN、JBS、MPS二极管结构介绍→P190
（161）MPS二极管仿真命令介绍 → P191
（162）PiN 和 MPS 二极管仿真结果 → P193
（163）衬底电流模拟 → P193
（164）降解模拟 → P195
第八章
第 23 课 第 8.1 节 FeElecFET 和第 8.2 节 FinFET 和 FD SOI
（165）FeElecFET Sde 命令 → P201
（166）FeElecFET 参数部分 → P204
（167）FeElecFET IdVg 模拟 → P205
（168）FinFET 模拟 → P207
（169）FD SOI MOSFET 模拟 → P210
第 24 课 8.3 节单粒子总剂量 & 8.41 节光电二极管
（170）单粒子效应模拟 → P214
（171）总剂量效应模拟 → P215
（172）光电二极管 Sde 部分 → P216
（173）光电二极管 S 器件部分 → P218
课程内容和文件
比如在第三章讲解能带模型与载流子浓度的关系、介绍什么是材料的临界击穿电场、双脉冲开关电路的原理等时，哪怕图纸有点难看，也要把最基本的半导体知识讲解给大家，要做到最实际的教学，实现半导体理论与仿真实践的强结合，用理论指导预测仿真，深化理论在仿真中的理解。
例如在介绍仿真输出界面中步长与误差的关系时，对求解过程的关键部分都进行了仔细的圈出和说明，细节省略得当，让大家在最短的时间内掌握最重要的内容。视频完全实用，全程几乎没有废话，不会耽误大家哪怕一秒的宝贵时间。
除了材料内容之外，本课程还针对大家的实际需求，教大家如何用模拟结构清晰、简单地重现论文结构。
视觉优化：软件界面及命令字体放大，即使在手机非全屏模式下观看也能清晰可见。
语音：用麦克风录制。我有普通话二级甲等证书。我发音清晰，语速适中。即使语速提高一倍，你也能听清楚我在说什么。
课程内容丰富，最短时长约半小时，最长时长约一小时，平均时长约四十五分钟。课程通过百度云链接分享，可在专用播放器上播放，一机一码（防传播），可加速、不限次数双倍观看、暂停续看等功能齐全。使用账号密码即可在电脑、平板、手机本地观看。
课程评估
视频的第一部分包含以下文件
资料中用到的所有命令和仿真项目都经过打包压缩，帮助大家快速上手仿真，并更好地掌握仿真命令操作和半导体器件内容。命令和视频不单独出售，不能只买文件而不买视频。
除了把整个项目拷贝给大家之外，我们还提前在服务器上完成了一些难以运行的项目，比如超结SiC的UMOS、pGate HEMT等大部分的模拟。
视频文件可能只是比资料包含的信息多而已，不会有缺失的情况，比如资料里只介绍了碳化硅二极管的Sde命令，而视频文件却把PiN的Sprocess命令分享给大家，同时还提供了诸如存储器件的FeElecFET等仿真案例。
第 2 部分视频回顾
视频课程定价及购买地点
课程定价：
140元→全套视频+全套命令+模拟案例+软件安装包。
折扣方案：
已购买入门指南系列 2 的读者：
130元→全套视频+全套命令+模拟案例+软件安装包。
已购买入门指南系列 2 + 系列 1 视频的读者：
120元→全套视频+全套完整命令+模拟案例+软件安装包。
系列 2 入门指南 + 系列 2 视频 → 205 元
增值税发票方案：
累计金额需达到300元才可开通。
购买方式：添加下方微信即可购买课程。
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结尾
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对于每一位半导体器件学生和爱好者来说都是值得一读的
