IT之家11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发表博文，报道三星电子在 3D NAND 闪存生产方面取得重大突破，大幅减少了光刻工艺中的光刻胶（ PR ）使用量，下降达到之前使用量的一半。
IT之家援引消息人士的话说，此前每层镀膜需要7-8cc的光刻胶，但通过精确控制镀膜机的转速（rpm）并优化PR镀膜后的蚀刻工艺，三星现在只需要4-8cc。 4.5cc。
另一个重要因素是三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶。通常，一层涂层在一个过程中形成。然而，通过使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多层。 ，从而提高流程效率。
然而，较厚的光刻胶也给生产带来了挑战，因为光刻胶的高粘度会导致涂布过程中的均匀性问题。
三星与长期合作伙伴东进半导体化学有限公司自2013年以来一直密切合作，共同开发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供关键材料。
据悉，从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这项新技术。这一创新举措不仅会提高生产效率，每年还能为三星节省数十亿韩元的巨额成本。
这也意味着东进半导体将面临三星订单减少。东进半导体目前每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入，其中60%来自三星。
