IT之家12月9日报道 韩国媒体 SEDaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在其研发中心完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开发。机构，并从上述开始。该技术将于10月开始转移至平泽第一工厂的量产线。
参考IT之家此前的报道，三星电子代表将在2025年IEEE ISSCC国际固态电路大会上推出4XX层1Tb TLC NAND。该产品采用晶圆键合技术，存储密度为28Gb/mm2，I/O引脚速率为5.6Gb/s。
韩媒认为三星V10 NAND将采用三堆栈结构。据悉，这款闪存在开发阶段的良率在10%到20%之间，而量产的门槛是60%。三星电子正在努力提高量产线上第10代V-NAND的良率。如果顺利的话，将于2025年下半年获得PRA量产准备许可证，最快明年二季度末可能进入量产阶段。
根据TrendForce数据显示，三星电子在2024年第三季度仍将是最大的NAND闪存制造商。除了积极研发之外，该公司也在扩大先进产能，以进一步巩固领先地位：三星计划明年在平泽P4增加每月30,000至40,000片晶圆的V9 NAND产能；中国西安工厂的工艺升级也在推进。
