快科技1月21日消息，据韩国媒体报道，三星电子第六代10纳米1c DRAM工艺开发进度被推迟，预计完成时间从2024年底推迟至2025年6月。
这一延迟意味着，原计划于2025年下半年量产的第六代高带宽存储器（HBM4）也面临着不确定性。
三星于 2024 年底向市场交付了首款测试芯片，但随后的生产良率未达到预期，导致开发时间延长。据市场消息称，三星计划在未来六个月内将良率提高至70%左右。
根据以往的经验，每代工艺的开发周期通常为18个月左右。不过，自从三星开发出第五代10纳米1b DRAM工艺并于2022年12月宣布量产以来，1c DRAM方面一直没有任何进展。清除消息。
1c DRAM工艺的延迟不仅影响其核心产品DDR5内存的量产时间，还影响高带宽内存（HBM）的发展。
如果1c DRAM的量产推迟到2025年底，那么HBM的量产时间可能会在2025年之后，这与三星此前在2025年下半年量产HBM4的计划相悖，从而影响了三星在该领域的竞争力。 HBM 市场。
韩国半导体行业消息人士称，三星正在修改1c DRAM工艺技术的部分设计，以尽快实现量产目标。但能否在预定时间内实现量产仍存在不确定性。
