国产EUV光刻机"登月时刻"！三大路线曝光，这次真稳了？
国产 EUV 光刻机突然展现出三大重要的“手段”，荷兰 ASML 连夜召开会议，外国媒体连声呼喊：“中国此次真的要对芯片规则进行改写了！”究竟是怎样的情形呢？接下来就一同来观看这场“光刻机的突破之战”！
大家都知晓 ASML 的 EUV 光刻机在芯片领域如同“印钞机”一般，然而对方就是不肯将其卖给我们。这台机器重达 17 吨，包含 10 万个零件，就连一颗螺丝钉都得从德国蔡司进口。但我们的科学家这次没有沿袭旧路，直接抛出了三条新的赛道，分别是 EUV-FEL 光源、BEUV 技术以及纳米压印，成功地将西方的供应链远远地甩在了身后！
比如这个 EUV-FEL 光源，简单来讲就是用“电子束打靶”的方式来替代传统激光轰锡金属。ASML 的机器需要用激光打 20 万次才能够收集到 1 克锡的 EUV 光。而我们直接使用粒子加速器，其能量转换效率能够翻三倍。就连荷兰工程师都表示：“这一招太厉害啦，直接绕开了我们所有的专利！”
而这次中国确定的三大路线，可以说是招招致命！
其一为“高铁”路线，即实现 EUV-FEL 的弯道超车！这项技术如同给光刻机更换心脏一般。传统的 EUV 光源需要二氧化碳激光器与锡液滴，而我们直接采用粒子加速器发射电子束。这样不仅能使光源更加纯净，还能顺带产出 6.6nm 的 BEUV 光。据日本专家测算，利用此技术制造光刻机，成本能够削减 40%，并且有望在 2028 年实现量产样机。
其二是“飞机”路线：BEUV 实现了降维打击。EUV 如同“小刀刻字”，而 BEUV 则像是“激光雕刻”，其波长从 13.5nm 直接缩减到 6.7nm，分辨率大幅飙升至两倍。中科院团队在去年利用 BEUV 做出了 0.8nm 的线宽，比 ASML 最厉害的机器还要细。更为绝妙的是，这项技术目前在全球都还处于实验室阶段，我们与欧美处于同一起跑线。
其三是关于“地铁”路线方面：纳米压印采取了另辟蹊径的方式，这种方法专门用来应对美国的封锁。它无需光刻，直接用“印章”压出电路，使得成本直接降低了 70%。虽然现在的精度仅达到 14nm，但长江存储已经利用它实现了 3D NAND 芯片的量产。日本佳能得知后非常着急，连夜宣布要研发 10nm 纳米压印机，然而却遭到网友的嘲讽：“中国早就已经实现量产了，你们才刚刚开始画图纸吗？”
供应链大换血，这些企业要起飞！
上海微电子首先在默默发力，去年曝光的新光刻机分辨率达到 65nm，今年直接开始使用浸润式系统，明年努力冲击 28nm；接着是中科科仪在电子枪技术方面取得突破，EUV-FEL 的核心部件被他们包揽，订单一直排到 2027 年；然后是华为哈勃进行投资，投入 200 亿来布局光刻胶；南大光电的 ArF 光刻胶已经通过中芯国际的验证。
美国杜邦股价暴跌 30%，这是直接导致的结果。更为刺激的是，清华大学与中芯国际联合开展了“光刻机创新联盟”的行动，将 ASML 的三大命门全部进行了更改，即不用蔡司镜头，不用 Cymer 激光器，也不用德国真空系统。外媒发出哀嚎，称中国这是在制造光刻机 2.0 。
工信部内部曝光的路线图显示，2025 年 28nm 纯国产的 DUV 光刻机会完成量产。到 2027 年，EUV-FEL 原理样机将会亮相。2030 年，BEUV 光刻机能够实现 7nm 工艺。
纳米压印路线最让人热血。长江存储副总透露，在 2026 年能够用压印技术来制作 DRAM 芯片，并且良率超过 90%。ASML 的 CEO 最近急得满嘴起泡，他表示如果中国真的搞出这三条路线，他们至少会损失 50%的市场份额。荷兰政府的做法更绝，偷偷地放宽了对华光刻机的出口，然而可惜的是，我们早就不再稀罕了。
这是科技博弈所呈现出的残酷真相。你若卡住我的脖子，那我便直接转换赛道。从原子弹的研发到空间站的建设，从盾构机的制造到光刻机的突破，每一次遭遇封锁，不都像是给中国送上了一份“逆袭剧本”吗？我们应当记住以下这三个数字：28nm、7nm、0.8nm！
它们不仅仅是单纯的技术参数，而且是中国智造进程中的三个重要里程碑。倘若下次还有人宣称“光刻机造不出”，那么直接把这句话甩给他：“并非是造不出来，而是我们要去制造出更优良的！”
ASML 的 EUV 光刻机对我们而言作用已不显著了，你们对此持何种看法呢？#头条首发大赛#
