3 月 18 日消息来自 IT 之家。台媒 digitimes 今日传出消息，SK 海力士预计会独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片的第五代 12 层 HBM3E。这意味着它与三星电子、美光的差距有望进一步拉大。
SK 海力士去年 9 月在全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，达成了最大 36GB 的容量。12 层 HBM3E 的运行速度能够达到 9.6Gbps。在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行“Llama 3 70B”大语言模型时，每秒能够读取 35 次 700 亿个整体参数。
去年 11 月，IT 之家注意到，SK 集团会长崔泰源称，英伟达 CEO 黄仁勋让 SK 海力士提前六个月供应被称作 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。
SK 海力士计划在 2025 年下半年推出首批产品，这些产品采用 12 层 DRAM 堆叠，属于 HBM4。16 层堆叠的 HBM 稍晚推出，时间在 2026 年。
今年 2 月，彭博社的知情人士透露，三星电子公司已获得批准，能够向英伟达供应其高带宽存储芯片 8 层 HBM3E。此批准意味着三星向前迈出了一步。然而，在高带宽内存（HBM）技术方面，三星仍落后于 SK 海力士和美光科技等竞争对手。
美光方面，美光的执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 在今年 2 月有透露。他指出该公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将开始大量出货。
