【文/观察者网专栏作者 心智观察所】
国家商务部和海关总署不久前联合发布了一则公告，决定对部分中重稀土相关的物项实施出口管制。其中，钐、钆、铽、镝、镥、钪、钇的合金、化合物以及氧化物等相关物项在出口时，必须依据相关法规向商务部申请许可证。
消息发布后，相关物项在国际市场上的价格立刻大幅上涨。专业人士预计，后续该物项的价格将会有 500%甚至更大幅度的增长。
心智观察第一时间进行的分析表明，此举会给全球供应链带来战略性影响。尤其对于那些高度依赖这 7 种稀土材料的领域，如高性能磁体、光电材料，以及它们的下游关键应用领域，如国防军工、医疗设备等。
许多人或许还未意识到，此次出招，会对光刻机产业的制高点角逐产生巨大影响。 此次出招，将给光刻机产业制高点的角逐带来巨大影响，这或许是许多人还未意识到的。 许多人或许还没察觉到，此次出招对光刻机产业制高点的角逐有着巨大影响。 此次出招，对于光刻机产业制高点的角逐会带来巨大的影响，这一点或许许多人还没有意识到。 许多人或许还没意识到，此次的出招行为，会在光刻机产业制高点的角逐方面带来巨大影响。
众所周知，EUV 光刻机已成为美国对华科技遏制的关键抓手。谈及 EUV 时，各种奇奇怪怪的失败主义论调会在国内舆论场横行。这些论调以看似扎实的数据，言之凿凿地论证中国无望追赶。
新型举国体制在 EUV 技术攻坚中凝聚起了力量。从对手的需求来看，美国管辖长臂试图“锁死”中国光刻机发展上限，而美西方自身想要将光刻技术继续向前推进，也极大地受制于中国稀土材料供给。
目前 ASML 发布的产品路线图显示，其现有的 EUV 产品体系沿着特定路径进行优化，即数值孔径和工艺因子的优化路径。预计可沿着此路径迭代到 2030 年代初期的 0.75NA HXE 系列。到那时，就会到达现有技术体系的分辨率极限。2035 年之后，超越现有架构的“BEUV”（Beyond EUV）光刻机将会取代其王者地位。
目前，海外已经开始进行 BEUV 关键技术的研究。比如在去年年底，美国的劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）公开了一种大孔径铥（BAT）激光器，这种激光器可以作为光刻机的驱动激光。并且该实验室还将牵头组建极端光刻与材料创新中心（ELMIC）。
项目成员中还包含 ASML 首席 EUV 光源专家 Michael Purvis。
对于 BEUV，目前有多种光源技术路线正在被研究。其中包括中国已处于全球前沿的自由电子激光（FEL）以及稳态微聚束（SSMB）加速器等。然而，在最新版的 IRDS 光刻路线图中也明确表示，替代方案面临的最大挑战是缺乏产业生态。所以，“向公用事业规模光源架构的必要范式转变具有极大的颠覆性，需要就其开发以及相关的生态系统/基础设施变革达成广泛的共识”。
在这一背景之下，业界对开发短波长（6.X 纳米）的激光等离子体光源予以高度关注，有较大可能成为优选技术路线。其原因一方面是该技术原理与当前的 EUV 光刻机有较高的继承性，另一方面是多层镜组成的反射式光学系统在 6.X 纳米波长下理论反射率能够高达 70%。
