4 月 22 日有消息称，三星电子告知客户，会在 2025 年 4 月终止 1z 制程 8Gb LPDDR4 存储器的生产（End of Life）。同时，要求客户在 6 月之前完成最后的买进订单，预计最迟在 10 月之前出货。其主要原因是国内的手机 LPDDR4 存储芯片订单被转到了本土工厂进行制造，而三星将把精力集中在 LPDDR5 以上的高端产品上。
4 月 22 日中午，对于此传闻，三星半导体方面独家回应钛媒体 AGI 。他们表示不评论业界传言，并且生产正在按序进行。
据悉，CFM 闪存市场数据表明，在 AI 服务器强劲需求的带动下，2024 年，全球 DRAM 和 NAND 闪存的销售收入达到了 1670 亿美元，创历史新高。这一数值比上一年增长了 85.53%。然而，去年第四季度，全球 NAND 闪存的规模减少了 8.5%，降至 174.1 亿美元。预计在 2025 年，全球存储市场的产值预计仅能实现 2%的微幅增长。
在 DRAM 方面，2024 年 HBM 热潮成为市场的一大亮点。
CFM 闪存市场预计，到 2025 年。三星、美光、SK 海力士等多家公司的 HBM4 将会量产落地。HBM 产品在全部 DRAM 产业中的占比将会接近 30%。市场规模将达到 2880 亿 Gb 当量。在服务器内存消耗方面，HBM 的应用在持续增长。
2024 年的财报表明，三星电子公司获得了 300.9 万亿韩元的收入，约为 1.52 万亿元人民币，其收入同比增长了 16%。同时，该公司的归母净利润飙升至 33.6 万亿韩元，约 1692.43 亿元人民币，同比增长 131%。其中，三星的内存业务成为了主要的增长引擎。它的销售额达到了 84.5 万亿韩元，与去年同期相比增长了 91%。HBM 以及 DDR5 产品做出了显著的贡献。
目前，三星主要将目标对准中高端 DRAM 存储和 NAND 闪存芯片市场。据公开的报道可知，在 2025 年，三星会将 HBM3E 的产能提升至原来的三倍。并且会把 QLC SSD 的市场占比目标设定为 30%，与 2024 年的 15%相比有很大的提高。与此同时，公司打算减少超出 20%的传统 DRAM 产能，转而生产 LPDDR5x 以及 HBM 等高端产品。
今年 1 月，HBM4 内存准备开始采用 4nm 进行试产。在完成逻辑芯片的最终性能验证之后，三星将会提供 HBM4 样品以供验证。
三星电子称，这一强劲表现的原因在于对存储芯片有强劲需求，其中包含用于 AI 服务器以及固态硬盘（SSD）的存储芯片。其 HBM、DDR5 等以服务器为中心的产品销售有所扩大，并且公司积极应对生成式 AI 服务器所需高附加值产品的需求，所以业绩相较于上季度有了大幅的改善。
里昂证券分析指出，数据中心以及 AI 开发的需求促使内存芯片的平均价格在上一季度的基础上上涨了 15%，此情况使得三星最大的部门扭转了上年同期的亏损局面。美银作出预计，三星在 2025 年的 HBM3e 销售有望达到 24 亿美元，该销售额占 HBM 总销售额的 34%。
